孟阿兰
,
高卫东
,
李镇江
,
万里冰
稀有金属材料与工程
通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3纳米材料形貌的影响,确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件.场发射扫描电镜(FE-SEM)表明5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片.X射线衍射(X-ray)分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数α=1.223 nm,b=0.304 nm,c=0.58 nm,α=90°,β=103.7°,γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体.
关键词:
β-Ga2O3纳米材料
,
不同形貌
,
合成
,
形成机理
涂盛辉
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吴佩凡
,
巫辉
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杜军
,
万金保
功能材料
采用简单水热法制备得到棒状、铅笔状和塔状不同形貌的纳米ZnO阵列。采用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、光致发射光谱对样品结构、形貌、光学性能和催化性能进行表征;结果表明,样品晶型比较完整,PL谱图表明样品在380nm左右都出现了强烈的紫外发射峰。同时,以甲基橙为模拟污染物,通过光催化测试表明,产品均具有良好的光催化性能,其中塔状纳米ZnO的光催化性能较高。
关键词:
水热法
,
不同形貌
,
纳米ZnO阵列
,
光学性能
吴芳
,
王伟
低温物理学报
通过水热法以Na2 TeO3为Te源和SDBS为表面活性剂在不同反应温度和反应时间下合成了半导体材料Bi2Te3的一维纳米线粉体.纳米线粉体通过XRD衍射仪分析物相,扫描电镜分析其表面形貌.分析结果表明反应温度和反应时间对Bi2Te3的纯度和表面形貌均有很大的影响.最佳的反应条件为反应温度150℃,反应时间为24小时.在此条件下制备的Bi2 Te3纳米线的长度为500～1000nm左右,直径仅为30～50nm.同时也对不同形貌Bi2Te3晶体的成核和生长机理进行了研究.
关键词:
Bi2Te3纳米线
,
水热法
,
不同形貌
