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冯明 , 夏冠群 , 胡少坚
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.012
测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电 势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制 在可以忽略的范围内.
关键词: 霍尔效应 , 磁传感器 , 不等位电势
