邹子英
,
闵靖
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.025
研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层.测试了退火后硅片中氧的深度分布,发现硅片表面有一层低氧区,能提高硅片的质量,使氧化层错的密度降低一个数量级,测试数据还表明高温氢退火对降低COP缺陷的密度和提高氧化层的质量也有一定的效果.
关键词:
高温氢退火
,
氧沉淀
,
晶体原生颗粒(COP)
,
氧化层错
,
与时间有关的介质击穿(TDDB)
