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Ep 63 GeV质子入射铅、铋引起的中子产生双微分截面的模拟

张苏雅拉吐 , 陈志强 , 韩瑞 , 刘星泉 , 林炜平 , 靳增雪 , 刘建立 , 石福东

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.31.02.235

加速器驱动次临界系统(ADS)液态Pb-Bi散裂靶的设计中,需要可靠的理论计算工具精确地预言几个GeV能量范围的质子引起的散裂反应产生的各种粒子和核素。利用蒙特卡罗模拟软件包Geant4计算研究了800 MeV至3 GeV质子入射铅、铋材料引起的中子产生双微分截面。比较了Geant4不同物理模型得到的模拟结果与现有的实验数据。其中,Geant4的QGSP BERT和QGSP INCL ABLA物理模型模拟结果很好地再现了实验数据。本工作证实了Geant4蒙特卡罗模拟软件包适合用于能量高达3 GeV的质子入射铅、铋引起的中子产生双微分截面的模拟计算。

关键词: 蒙特卡罗模拟 , 加速器驱动次临界系统 , 液态Pb-Bi散裂靶 , 中子产生截面

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