靳瑞敏
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蔡志端
,
苍利民
,
阎韬
,
徐建军
,
栗书增
人工晶体学报
本文用PECVD法在石英玻璃上沉积非晶硅薄膜,然后用快速光退火和传统电阻炉退火方法晶化生长多晶硅薄膜,用拉曼光谱仪、XRD和场发射扫描电镜观察分析薄膜,发现在制备的多晶硅薄膜表面存在结晶团现象,并对这一现象的晶化机理进行了分析.
关键词:
非晶硅薄膜
,
二次晶化
,
多晶硅薄膜
,
结晶团现象
,
晶化机理
靳瑞敏
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王玉仓
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陈兰莉
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罗鹏辉
,
郭新峰
,
卢景霄
材料导报
通过PECVD法于不同温度直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,选择于850℃分别退火2h、3h、6h、8h.于700℃分别退火5h、7h、10h、13h,于900℃分别退火1h、3h、8h,分别于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光谱和SEM进行对比分析,发现退火温度与退火时间的影响是相互关联的,并且出现一系列晶化效果好的极值点.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
,
二次晶化
,
拉曼光谱
,
扫描电镜
