毕津顺
,
韩郑生
功能材料与器件学报
本文制备了纳米级的Hf/HfO2基阻变存储器,阻变存储器上电极金属和下电极金属交叉,形成交叉点型的金属-氧化物-金属结构.系统地对其电学特性进行表征,包括forming过程、SET过程和RESET过程.详细研究了该阻变存储器SET电压与RESET电压,高阻态阻值与低阻态阻值间的关联性.该阻变存储器的电学参数与SET过程的电流限制值强相关,因此需要折中优化.利用量子点接触模型对Hf/HfO2基阻变存储器的开关物理机制进行了分析.
关键词:
二氧化铪
,
双极
,
阻变存储器
,
导电细丝
,
量子点接触模型
李欣予
,
王若铮
,
吴胜利
,
李尊朝
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173205.0344
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响.仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiNx和HfO2多种不同组合的叠层结构.仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiNx绝缘层结构的TFT性能更优;对SiNx/HfO2/SiNx栅绝缘层叠层结构TFT,HfO2取40 nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优.本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用.
关键词:
半导体器件仿真
,
薄膜晶体管
,
绝缘层
,
氮化硅
,
二氧化铪
,
叠层结构
武德起
,
姚金城
,
赵红生
,
张东炎
,
常爱民
,
李锋
,
周阳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.
关键词:
高介电栅介质材料
,
激光分子束外延
,
二氧化铪
