隋贤栋
,
罗承萍
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.03.002
通过利用TEM研究SiCp/Al-Si复合材料发现:SiC/Al界面结合紧密,在靠近SiC界面的Al基体中,有一层厚度小于1μm的"亚晶铝带", 它紧靠SiC表面形成, 与远离SiC的Al基体有几度的位向差;这种"亚晶铝带"在SiC/Al界面上普遍存在,其内有大量位错.
关键词:
SiCp/Al-Si复合材料
,
SiC/Al界面
,
亚晶铝带
,
位错
隋贤栋
,
罗承萍
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2000.01.015
以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si界面.靠近SiC界面的Al基体中,普遍存在一层厚度小于1μm的"亚晶铝带",其内有大量位错.SiC与Al、SiC与Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系,但是存在下列优先关系:(103)SiC//(111)Al,[110]SiC//[110]Al;(101)SiC//(111)Si;[110]SiC//[11]Si.
关键词:
SiCP/ZL109复合材料
,
SiC/Al界面
,
SiC/Si界面
,
晶体学位向关系
,
界面Si
,
亚晶铝带
