侯清娜
,
张新宇
,
王峥
,
林鸿涛
,
冯兰
,
刘冬
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0628
对于薄膜晶体管液晶显示器来说,TFT的特性对产品的品质有很大的影响,而其亮态漏电流Ioff的影响尤为重要.为改善器件性能,需要深入分析TFT亮态漏电流的影响因素.本文在实验基础上提出一种测试方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo Resist)对TFT沟道的不同位置进行遮挡;再对遮挡样品进行TFT特性测试.进而能模拟出实际工作中的TFT亮态漏电流,可以更加简便有效地优化TFT下方的栅极金属线宽,同时降低亮态漏电流.最后制作了54.6 cm(21.5 in)改善样品,通过新测试方法分析,将栅极金属线加宽约1.5 μm,改善后样品的亮态漏电流从14.08 pA降至约9.50 pA.所以,使用新的测试方法无需将样品制作到模组后再进行品质评价,简单有效并降低了产品制造成本.
关键词:
薄膜晶体管液晶显示
,
TFT测试方法
,
亮态漏电流
