孙桂芳
,
王雅丽
,
钱霞
,
侯碧辉
人工晶体学报
测量了室温下钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体在0.1～3 THz的太赫兹时域光谱.分析表明:在0.2～0.9THz范围内,晶体的吸收系数小于30 cm-,有较好的透射性,在0.4 ～0.6 THz有一个较弱的泛频共振吸收峰;折射率在2～6之间变化,0.36 ～0.9 THz是一个明显的反常色散区域;根据光学常数之间的关系,计算得到介电函数曲线,介电函数实部值在4 ～38之间变化,在0.36 THz处有明显的突变尖峰;介电函数虚部随频率升高从0.7下降到0.3.
关键词:
太赫兹时域光谱
,
钨酸铅晶体
,
折射率
,
介电函数
苗峰
,
黄毅
,
张传武
硅酸盐通报
本文利用密度泛函理论分析了不同浓度下Cu(掺杂量分别为6.25％,8.3％,12.5％,25％)掺杂SnO2的电子结构、光学性质、介电常数和光学吸收谱.研究结果表明:随着掺杂浓度的增加,费米能级进入价带,费米能级处能带细化,材料的导电性得到了增强,具有了金属的性质;介电常数和光学吸收谱相对应,光学吸收边减小,峰值发生了蓝移.
关键词:
能带结构
,
态密度
,
介电函数
,
光学吸收谱
冯现徉
,
王培吉
,
张昌文
,
逯瑶
,
蒋雷
,
张国莲
人工晶体学报
采用线性缀加平面波的方法,对In元素掺杂ZnO电子结构和光学性质进行研究.计算结果表明:掺In后价带上部分折叠态增加,禁带宽度变窄.不同量In掺杂ZnO与未掺杂时相比,折射率、反射率及消光系数均有明显变化,介电函数虚部向高能量方向移动,而折射率、反射率、吸收系数、消光系数均向低能量方向移动.从理论上指出了光学性质和电子结构之间的联系.
关键词:
第一性原理
,
电子结构
,
光学性质
,
介电函数
周祎
,
张昌文
,
王培吉
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法,研究了3d族过渡金属元素Fe对Ⅲ-Ⅴ族半导体InP的电子结构和光学性质的调控机理,并对其能带结构和电荷密度分布进行了分析.结果表明,InP为直接带隙半导体,其价带主要由P-3s和3p态构成,而导带则由In-5s电子态构成.当Fe元素替代In原子后,由于Fe和P原子的轨道杂化作用,InP带隙中出现杂质态,Fe-3d态产生自旋极化效应.随着Fe的掺杂浓度增大,Fe-P原子之间轨道杂化作用明显增加,费米能级逐渐进入价带,这导致了材料的电子跃迁几率提高,光学吸收边明显增强,跃迁峰发生红移.
关键词:
能带结构
,
态密度
,
光学性质
,
介电函数
杨家跃
,
刘林华
,
谭建宇
工程热物理学报
基础辐射物性介电函数在热辐射研究中扮演了重要的角色.通过运用第一性原理分子动力学(AIMD)方法研究了SixGe1-x合金的介电函数随温度变化的规律.以热平衡构型作为输入结构,AIMD方法可有效计算不同温度下固体材料的电子能带结构,进而得到介电函数.研究表明,在300 K温度下SixGe1x合金介电函数的理论计算值与对应的实验结果吻合;且随着合金中Si/Ge比例的增加,合金的禁带宽度增大,介电函数虚部主峰位置红移且幅值增强.
关键词:
基础辐射物性
,
介电函数
,
温度
,
第一性原理分子动力学
康玲玲
,
刘廷禹
,
张启仁
,
徐灵芝
人工晶体学报
运用CASTEP软件计算了完整的BaMgF4晶体的电子结构、介电函数和吸收光谱.采用剪刀算子进行修正,根据实验结果和计算结果比对,确定剪刀算子值为4.77 eV.计算结果显示完整的BaMgF4晶体在14.203～14.475 eV和21.480～21.767 eV两个区间有很明显的吸收峰,吸收边为10.337 eV,对应BaMgF4晶体的本征吸收边125 nm,计算结果与实验结果基本一致.
关键词:
电子结构
,
介电函数
,
吸收光谱
,
BaMgF4晶体
杜昊
,
肖金泉
金属学报
利用有效媒质理论描述了纳米金属薄膜形成过程中介电函数的变化规律. 与实验获得的纳米Ａｌ和Ｔｉ薄膜形成过程中的介电函数变化结果相接近.
关键词:
纳米金属薄膜
,
null
