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氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

叶超 , 宁兆元 , 程珊华 , 辛煜 , 许圣华

功能材料

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的低频(102～106Hz)介电性质.发现a-C:F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3/C6H6的比例、微波入射功率而改变.结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C-F相对含量的增大则使低频介电色散减弱.

关键词: 氟化非晶碳(a-C:F)薄膜 , 介电色散 , 键结构