彭可
,
易茂中
,
冉丽萍
稀有金属材料与工程
根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物WSi2的价电子结构和理论结合能.结果表明,WSi2理论结合能为1859.5 kJ/mol,与实验值吻合.WSi2晶体中,沿＜331＞位向分布的W-Si键的键能最大,EA=33.397 kJ/mol,且有32个等同键数,是晶体熔化时必须破坏的主干键络,因而WSi2具有高熔点.WSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使WSi2具有良好的导电性.WSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因.
关键词:
WSi2
,
价电子
,
结合能
,
导电性
,
脆性
彭可
,
易茂中
,
陶辉锦
,
冉丽萍
中国有色金属学报
根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物MoSi2的价电子结构和理论结合能.结果表明,MoSi2理论结合能为1 677.1 kJ/mol,与实验值吻合.由于Si原子偏移,沿〈001〉方向分布的Si-Si原子键共价电子数最多,nD=0.402 04.MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使MoSi2具有良好的导电性.MoSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因.
关键词:
二硅化钼
,
价电子
,
结合能
,
脆性
梁高飞
,
宋长江
,
刘向阳
,
许振明
,
李建国
稀有金属材料与工程
异质形核是凝固领域的核心问题之一,界面共格对应理论无法解释金液滴异质形核过程中ZrC,TiC,TiN等基底的触媒作用优于TiO的现象.利用余氏"固体与分子经验电子理论"以及程氏"改进的TFD模型中表面电子密度相等的边界条件",分析表明界面共格对应并不是有效触媒基底的本质要求;在Tillen静电作用理论基础上,建立了Au液凝固异质形核价电子模型与基底触媒效用判据,据此分析了ZrC,TiC,TiN,TiO基底对Au液滴异质形核的触媒效用,与实验结果吻合.
关键词:
金
,
异质形核
,
凝固
,
触媒
,
价电子
邓孝龙
,
韩琳
,
梁青爽
,
刘孝娟
,
武晓杰
,
孟健
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.06.009
运用传统固相法合成了Re掺杂的Mo3-xRexSb7(x=0,0.05,0.10)系列化合物,并通过热压烧结得到了致密样品.采用X射线粉末衍射(XRD)和X射线能量色散谱(EDS)表征了样品的相成分,同时经过第一性原理计算分析了Re掺杂对Mo3Sb7能带结构的影响,进而研究了Re掺杂对Mo3Sb7热电性能影响的规律.结果表明:当掺杂量x≤0.1时,Re均匀地掺杂于晶格中形成固溶体且所有样品均无第二相杂质生成,同时晶胞参数随着Re掺杂量的增长而减小.Mo3Sb7作为一种P型三维导电材料,当每化学单位的Mo3Sb7额外获得两个化学单位的价电子将由金属转变为半导体.在Re掺杂后Mo3 Sb7费米面上移,这是因为Re比Mo多一个价电子,但由于固溶度的限制,Re掺杂并不能使其转化为半导体,且Re掺杂对于费米面处能带形状以及禁带宽度的影响也非常有限.由于Re较多的价电子,因此Re的引入降低了化合物Mo3Sb7的电导率,并提高了其热电势值,而电导率的降低也必然会减小载流子贡献的热导率,同时Re掺杂增加了晶格无序也降低了其晶格热导率,因此Mo3Sb7总的热导率得到了降低,最后其热电性能得到了提高.其中,经过Re掺杂后的化合物Mo2.90Re0.10Sb7在860 K下ZT值达到0.127,比化合物Mo3Sb7提高了23.3％.
关键词:
Re掺杂
,
价电子
,
Mo3Sb7
,
热电性能
彭可
,
易茂中
,
冉丽萍
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.11.002
根据固体与分子经验电子理论,对M0Si2和WSi2的价电子结构进行了定量的分析,通过键距差方法计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数.结果表明:在MoSi2和WSi2晶体中,沿<331>位向分布的Mo-Si和W-Si原子键最强,这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点.晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性,MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,因此MoSi2的导电性和塑性比WSi2好.并从键络分布的不均匀性解释了MoSi2和WSi2脆性产生的原因.
关键词:
MoSi2
,
WSi2
,
价电子
,
硬度
,
导电率
孙伟
,
刘保顺
,
赵修建
,
赵青南
材料导报
简要分析了二氧化钛光催化中价电子转移过程,即价电子跃迁和电子空穴复合过程,指出价电子转移过程的变化必然引起TiO2光催化效率的变化,重点说明了改变电子受体的种类、半导体表面改性、重金属表面改性、阴离子掺杂和金属离子掺杂等方法的具体原理,进一步探讨了价电子转移过程同光催化效率之间的关系.
关键词:
价电子
,
光催化
,
二氧化钛
郑馥
,
蔡伟
,
赵连城
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.04.019
用"固体与分子经验电子理论"研究了Ni2MnGa合金的价电子结构,研究结果表明,在Ni2MnGa中,Ni的杂化状态为A'种杂化第2阶;Mn的杂化状态为B种杂化第9阶,Ga为A种第9阶杂化.Ni的原子磁矩计算值为3.8666μB,与试验值4μB十分接近.最强的共价键是Ni-Mn键,其上的共价电子对数为0.577,其次为Ni-Ga键,其价电子对数为0.542,其它键上的共价电子对数小于0.2.
关键词:
Ni2MnGa
,
经验电子理论
,
价电子
彭可
,
易茂中
,
冉丽萍
金属学报
根据固体与分子经验电子理论，对MoSi2和WSi2的价电子结构进行了定量的分析，通过键距差方法计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数。结果表明，在MoSi2和WSi2晶体中，沿<331>位向分布的Mo－Si和W－Si原子键最强，这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点。晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性，MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子，因此MoSi2的导电性和塑性比WSi2好。并从键络分布的不均匀性解释了MoSi2和WSi2脆性产生的原因。
关键词:
二硅化钼
,
tungsten disilicide
,
valence electron
,
hardness
,
null
