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杨银堂 , 贾护军 , 李跃进 , 柴常春 , 王平
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.007
采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.
关键词: 碳化硅 , 欧姆接触 , 离子注入 , 传输线法
