叶志镇
,
张昊翔
,
赵炳辉
,
王宇
,
刘红学
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.001
采用反应蒸发法在提高了缓冲层的生长温度,通过对Si基上GaN样品缓冲层区域的高分辨透射电镜像(HRTEM)和界面区域的选区电子衍射(SAED)分析的基础上,提出了本系统GaN外延的晶体学位相关系和生长机理.GaN与Si衬底之间存在着下列的晶体学位相关系:GaN<0001>∥Si<111>,GaN<110>∥Si<110>.GaN外延生长首先在硅衬底上形成GaN晶核,生长出GaN多晶缓冲层,GaN多晶层在随后的高温保温过程中重新结晶为择优取向的GaN微单晶层,最后以这种微单晶层为模板进行晶体大面积的二维生长.同时还发现较高的缓冲层温度也明显提高了GaN外延层的结晶质量.
关键词:
氮化镓
,
硅基
,
外延
,
位相关系
,
生长机理
杨晓红
,
彭丽梅
,
杨晨辉
,
贾波
,
安建
材料热处理学报
用XRD衍射和透射高分辨HTEM方法分析Mg-4Y-3Nd合金在固溶处理525℃×8 h、时效温度250℃、时效时间16 h状态下的显微组织、析出相的点阵结构和基体点阵常数变化.结果表明:经过固溶时效的Mg-4Y-3Nd合金的显微组织由α-Mg固溶体、析出相Mg24Y5、Mg41Nd5和Mg14Nd2Y组成.析出相在晶内和晶界同时析出,晶内析出相形状为块状或短杆状,呈弥散分布,晶界上析出相呈三角形为链状分布,时效析出相Mg14Nd2Y与基体为半共格界面位相关系.随着析出相的生成,基体的点阵常数变大,同一晶面的衍射角(2θ)减小,晶面间距增大.
关键词:
Mg-4Y-3Nd合金
,
固溶时效
,
析出相
,
位相关系
常海
,
郑明毅
,
甘为民
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2016.00168
通过室温累积叠轧技术制备了Mg/Al多层复合板材,借助SEM、EDS、TEM和同步辐射CT形貌观察等先进表征手段对累积叠轧Mg/Al金属复合板材界面结合进行表征,揭示累积叠轧Mg/Al金属复合板材界面宏观结合状态以及微观界面结构。结果表明,Mg/Al复合板材界面总体上结合良好,没有明显孔洞和开裂,但板材内部仍然存在一些孔洞和局部微小裂纹。3次循环后Mg/Al界面处形成了厚度为150 nm的Mg17Al12层。Mg和Mg17Al12之间存在一种确定的晶体学位相关系[11?1?]Mg17Al12//[12?10]Mg、110Mg17Al12//(1?011?)Mg,而Mg17Al12和Al之间是否有位相关系并不明显。
关键词:
累积叠轧
,
Mg/Al多层复合板材
,
界面宏观结合
,
界面结构
,
位相关系
窦娜娜
,
宋西平
,
杨云
,
赵超
,
李如峰
稀有金属
利用透射电镜(TEM)研究了Zr-4合金吸氢后析出氢化物的类型、形貌及其位相关系.结果表明,随着吸氢量的增加,Zr-4合金中依次析出了δ-ZrH1.6及ε-ZrH1.8氢化物.δ氢化物主要以板条状从α-Zr基体上析出,二者的取向关系为(0001)α//(001)δ,[2(1)(1)0]α//[110]δ.ε氢化物以针状形貌从δ氢化物中析出,析出的ε氢化物的密排面((1)1(1))与δ氢化物的密排面((1)1(1))平行,二者的取向关系为((1)1(1))δ//((1)1(1))ε,[(1)12]δ//[011]ε.高分辨观察进一步表明,δ-ZrH1.6及ε-ZrH1.8氢化物的晶格点阵均出现了严重的扭曲变形,说明相变存在较大的应力集中.
关键词:
Zr-4合金
,
氢化物
,
TEM
,
位相关系
