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体心立方金属中位错与间隙原子相互作用的回顾--机械波谱术研究

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.006

根据有关术语、实验结果和理论处理方法的现有数据,对冷加工峰,200,220或250℃峰,Snoek-Koster(SK)峰,以及Snoek-Ke-Koster(SKK)峰进行了评估.并特别强调了葛庭燧教授(Ke)为理解冷加工峰所作的贡献.同时,对由(1)Schoeck,(2)Seeger,(3)王业宁等人,(4)Magalas 和Ngai,以及(5)Ogurtani等人发展的现有理论模型进行了简要的综述.

关键词: Snoek-Koster峰 , 冷加工峰 , Snoek弛豫 , Cottrell气团 , 葛庭燧 , 内耗 , 机械波谱学 , 位错 , 固溶体 , , ,

粘结相Co的切变机制及微观结构的研究

谢晨辉 , 周华堂 , 彭宇

硬质合金 doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.10.002

本文以工业纯钴粉、钴基合金、硬质合金作为研究对象,分别运用X射线衍射、金相、扫面电镜能谱、EBSD等分析技术,并结合晶体学的相关知识研究了钴的基本特性、微观结构及其切变机制.通过研磨工业纯钴粉,比较分析研磨前后X射线衍射分析结果,定性描述了钴粉的α-Co向ε-Co的转变过程;实验制备了不同固溶W含量的Co基合金,并对合金金相组织及相结构进行了分析;对淬火后的WC-10%Co硬质合金,研究了在不同回火温度、时间工艺参数条件下合金粘结相Co的微观组织结构变化规律及其主要影响因素;通过离子束抛光制样,运用背散射电子衍射(EBSD)技术研究了WC-20%Co硬质合金中的α-Co与ε-Co形貌特征及其分布状态.实验结果表明:α-Co结构的稳定性较差,α-Co向ε-Co的转变的相变驱动力仅几J/mol;固溶W含量对钴基合金中晶粒的孪晶组织有重要的影响,Co基合金中固溶的W含量越多其孪晶组织越少,且α-Co含量越多;硬质合金淬火后回火实验说明硬质合金粘结相Co的ε马氏体相变过程既可在较高温度、短时间内形成变温马氏体ε-Co,也可在较低温度、长时间下形成恒温马氏体ε-Co,合金内部组织内应力的释放会引起α-Co向ε-Co的转变;EBSD分析发现硬质合金中粘结相大部分是以α-Co结构存在,ε-Co呈条带状,厚度在2μm以下,长度在6μm左右,主要分布在粘结相与WC相的界面处或较厚钴层的中间部位.文中重点论述了硬质合金ε-Co马氏体的基本特征及其切变机制.

关键词: 粘结相 , 固溶度 , ε-马氏体 , 切变机制 , EBSD , 位错 , 层错 , 孪晶

双相镁锂合金含位错的高温变形机理图理论预报

曹富荣 , 丁桦 , 李英龙 , 赵文娟 , 郭营利 , 崔建忠

材料与冶金学报 doi:10.3969/j.issn.1671-6620.2008.03.011

鉴于超塑性和蠕变变形中存在大量位错的实验事实,将晶粒内部平均位错数量引入到Ruano-Wadsworth-Sherby归一化的晶粒尺寸-应力的变形机理图中,以双相Mg-8.42Li合金为例获得了包含位错数的归一化晶粒尺寸和应力的新型变形机理图.归一化晶粒、应力实验数据和计算的位错数与变形机理图对照,表明双相镁锂合金在423~623K低应变速率下主要的变形机理为晶格扩散控制的晶界滑移.含位错的变形机理图建立了塑性应力、晶粒尺寸及位错数量之间的定量联系,预报了该合金在 423~623 K条件下的位错特征.

关键词: 超塑性 , 蠕变 , 镁锂合金 , 机理图 , 应力 , 晶粒 , 位错

Ru对单晶高温合金拉伸性能的影响

刘丽荣 , 祖国庆 , 李晓宇 , 金涛 , 胡壮麒

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.06.017

为了研究Ru在含Re单晶高温合金的作用,利用扫描电镜和透射电镜以及电子拉伸实验机对不同Ru含量的三种单晶高温合金的拉伸性能和变形组织及形貌进行观察和分析,研究结果表明:三种合金随着Ru含量的增加,合金热处理态γ'相尺寸逐渐减小,立方度明显增加.900℃下的拉伸实验表明随着Ru含量的增加,合金的屈服强度和抗拉强度都略有增加.900℃下三种合金的断裂方式均为纯剪切型断裂.变形机制为位错切割γ'位错对夹着反相畴界模式.因此,Ru的加入略微增加了合金的强度,但没有改变合金的变形机制和断裂特征.

关键词: Ru , 单晶高温合金 , 屈服强度 , 抗拉强度 , 断裂特征 , 位错 , 纯剪切

LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响

徐岳生 , 付生辉 , 刘彩池 , 王海云 , 魏欣 , 郝景臣

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.025

用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103~104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.

关键词: LEC SI-GaAs , AB-EPD , 跨导 , 衬底 , 位错 , PLmapping , 临界值

应变振幅对过共晶Al-Si-xLa合金室温阻尼行为的影响

易宏坤 , 刘兆婷 , 李飞虎 , 张荻

中国有色金属学报

研究了过共晶Al-Si-xLa合金在室温下不同频率的阻尼-应变振幅行为.Al-Si合金通过常规的铸造和喷射成形工艺制备,并采用动态热机械分析仪(DMTA)对其阻尼行为进行研究.结果表明: 大多数铸态以及喷射成形态过共晶Al-Si-xLa合金显示了类似的室温应变振幅-阻尼行为,即随振幅的增加,阻尼先不增大,然后明显升高出现阻尼峰,最后回落,此行为可以用G-L位错阻尼理论加以解释; 铸态下添加La对Al-17Si合金的阻尼行为影响不大,过量La(6%)添加明显降低阻尼性能,而La的添加明显提高喷射成形态Al-Si合金阻尼性能; Si含量高的铸态Al-25Si合金的阻尼比铸态Al-17Si合金的阻尼峰低,所需振幅大,而喷射成形态Al-Si合金的阻尼明显比相应铸态Al-Si合金的阻尼高.

关键词: Al-Si合金 , , 阻尼 , 振幅 , 喷射成形 , 位错 , 热错配

高压扭转大塑性变形Al-Mg合金中的晶界结构

蒋婷慧 , 刘满平 , 谢学锋 , 王俊 , 吴振杰 , 刘强 , Hans J.Roven

材料研究学报

利用透射电镜和高分辨透射电镜(HRTEM)研究了高压扭转大塑性变形纳米结构Al-Mg合金中的位错和晶界结构.结果表明:对尺寸小于100nm的晶粒,晶内无位错,其晶界清晰平直;而尺寸大于200nm的大晶粒通常由几个亚晶或位错胞结构组成,局部位错密度可高达1017m-2,这些位错往往以位错偶和位错环的形式出现.用HRTEM观察到了小角度及大角度非平衡晶界、小角度平衡晶界和大角度∑9平衡晶界等不同的晶界结构.基于实验结果,分析了局部高密度位错、位错胞和非平衡晶界等在晶粒细化过程中的作用,提出了高压扭转Al-Mg合金的晶粒细化机制.

关键词: 金属材料 , 高压扭转 , 大塑性变形 , 铝合金 , 晶界结构 , 非平衡晶界 , 位错

退火处理对Al3CoCrCu1/2FeMoNiTi高熵合金激光涂层组织和性能的影响

黄元盛 , 温立哲

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.07.027

目的:研究Al3CoCrCu1/2FeMoNiTi高熵合金涂层的退火时效硬化及其强化机理。方法使用激光熔覆设备,在40Cr钢上制备了Al3CoCrCu1/2FeMoNiTi高熵合金涂层,对涂层进行了退火处理。使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和显微硬度计对涂层进行了分析。结果涂覆态涂层为BCC单相结构,经300℃和500℃退火,涂层仍然为BCC单相;700℃退火后,涂层析出了NiTi金属间化合物相;900℃退火后,涂层由FCC相及NiTi金属间化合物组成。涂覆态和经300~700℃退火的涂层为胞粒状,经900℃退火后,涂层为板条状。经300℃退火,涂层硬度下降,但超过300℃退火,硬度比涂覆态的高。700℃退火合金硬度达到最大值924HV。退火温度升到900℃后,硬度比700℃退火的低。NiTi析出相促进了硬度提高,位错强化机制能较好解释该高熵合金的固溶强化现象。结论 Al3CoCrCu1/2FeMoNiTi合金涂层具有明显的时效硬化效应,700℃退火可获得最佳的时效硬化效果。

关键词: 高熵合金 , 退火 , 激光熔覆 , 时效硬化 , 硬度 , 固溶强化 , 位错

一种氧离子注入诱生缺陷的TEM表征

颜秀文 , 刘东明 , 胡刚

材料导报

在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种"纳米网状"的结构缺陷.利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究.结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧.初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因.

关键词: 晶体缺陷 , 离子注入 , 位错 , 透射电子显微镜

CdZnTe材料(111)B和(211)B面上位错腐蚀坑密度的差异

顾惠明 , 杨建荣 , 陈新强 , 何力

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.02.012

用Everson腐蚀剂对CdZnTe晶体(111)B和(211)B面上的位错进行了腐蚀和观察,发现(111)B面上的腐蚀坑密度(EPD)值明显高于(211)B面上的EPD值,(111)B面上的EPD值与双晶衍射半峰宽有明显的依赖关系,(111)B面上的FWHM值随EPD的增加而增加.而(211)B面上的EPD则与材料的双晶衍射半峰宽无关.研究结果表明,用Everson腐蚀剂得到的EPD参数依赖于材料的晶体取向,在两种常用的晶体学取向中,(111)B面上得到的EPD能较为正确的反映CdZnTe材料中的位错密度.

关键词: CdZnTe , 位错 , 腐蚀法 , 布里奇曼法 , 衬底材料

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