刘庆
,
姚宗勇
,
A.Godfrey
,
刘伟
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2009.06.001
采用ECC和EBSD技术研究了AA1050铝合金冷轧至中低应变量下位错界面结构的演变. 结果表明,冷轧至中低应变量下形成典型的位错胞块结构,其微观组织结构强烈依赖于晶粒的取向.变形后主要形成三种典型的组织结构:Type A--两组交叉的几何必须位错界面(GNBs)结构,Type B--一组GNBs结构,Type C--近似等轴的普通胞状结构. 绝大多数Copper,Br88s和Goss取向的晶粒具有Type A结构,S取向的晶粒具有Type B结构,而Cube取向的晶粒主要具有Type C结构.变形过程中的GNBs不仅具有与RD成土(30°-40°)的宏观取向,而且大多数GNBs位错界面近似平行于由最大Schmid因子所确定的{111}滑移面的迹线.
关键词:
铝合金
,
冷轧
,
电子背散射衍射
,
位错界面结构
