朱文清
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刘祖刚
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唐春玖
,
赵伟明
,
蒋雪茵
,
张志林
,
许少鸿
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.04.007
使用 PbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3-PbCd1/2W1/2O3三元系电容器瓷料 , 采用流延工艺成膜 , 丝网印刷内电极 , 低温烧结的方法制备了陶瓷衬底 . 陶瓷衬底的烧结温度为 930～ 9500C. 测量了陶瓷厚膜的基本特性 , 在室温时的相对介电常数ε r大于 14000, 损耗 tanδ约为 1% , 具有极高的品质因素 ( ≥ 80μ C/cm2) . 用 SEM技术观察了陶瓷衬底的横断面和陶瓷厚膜表面形貌 , 内电极连续 , 厚膜层致密且表面起伏较小 , 可直接沉积发光层 . 制备了陶瓷厚膜为绝缘层的 ZnS:Mn低压驱动电致发光器件 , 在 50Hz正弦波驱动下 , 阈值电压仅为 41V.
关键词:
陶瓷厚膜
,
流延工艺
,
低压驱动
,
电致发光
