彭龙新
,
李建平
,
林金庭
,
魏同立
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.027
报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.
关键词:
微波单片集成电路
,
低功耗
,
赝配高电子迁移率晶体管
,
低噪声放大器
王昕
,
王凡
,
张晓平
,
郜龙马
,
魏斌
,
曹必松
,
高葆新
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.02.011
高温超导滤波器与低噪声放大器(LNA)组成的射频接收机前端设备具有高选择性、高灵敏度和极低的噪声,因而展现出广阔的应用前景.本文研究了场效应器件的低温物理特性和电学参数,研制了一种适用于高温超导微波接收系统的低温低噪声放大器,在60K工作温度下,具有很好的噪声特性.包括高电子迁移率场效应晶体管在内的元件参数均在60K温度下进行了实际测量.放大器的各项指标与设计值吻合,工作频段为800MHz～850MHz,增益大于18dB,输入输出驻波比小于1.2,噪声系数小于0.22dB.
关键词:
超导滤波器前端
,
场效应管
,
低噪声放大器
,
S参数
张其劭
,
罗正祥
,
羊恺
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z2.055
概述了高温超导接收机前端在地面移动通信、为卫星有效载荷星上通信机和其它电子系统方面的应用.介绍了超导接收机中决定灵敏度最关键的器件高温超导带通滤波器和低噪声放大器的近年发展情况,进而介绍了高温超导接收机前端的技术发展开发.电子科技大学应用高温超导薄膜研制了X波段低插损(L=0.3dB)窄带通滤波器(BPF)和中频带通滤波器(IFBPF),同时研制了X波段工作于77K液氮温区的NF为0.36dB的低噪声放大器(LNA).引进了工作于77K液氮温区的插损为6dB的混频器(MIX)和中频放大器(IFA).从而研制成功国内第一台高温超导高灵敏度接受机前端系统.为尽可能提高接收机灵敏度,采用低插损、低导热的薄壁不锈钢电缆为输入端电路,组建了用液氮制冷的BPF-LNA-MIX-IFBPF-IFA电路型式的接收机前端电路.获得的主要指标为:工作频率:f=9500MHz;中频带宽:BIF=5MHz;工作温度:T=77K;灵敏度:S=-106.18dBm(24.1μμW);噪声温度:Te=58K.
关键词:
高温超导
,
接受机前端
,
高灵敏度
,
噪声系数
,
低插损窄带通滤波器
,
低噪声放大器
彭龙新
,
周正林
,
蒋幼泉
,
林金庭
,
魏同立
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009
报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.
关键词:
微波单片集成电路
,
赝配高电子迁移率晶体管
,
低噪声放大器
郑智雄
低温物理学报
本文介绍了C波段宽频带低温低噪声放大器的研制.放大器采用的是Avago一款赝高电子迁移率晶体管,用不对称十字型结微带线的输入匹配网络进行宽频带的匹配,采用源极微带线负反馈和输出端串联电阻来提高稳定性.本文介绍的宽频带低温低噪声放大器工作频段为5～6.5GHz,在常温下测量增益为30.7±1dB,输入输出反射损耗均小于-10dB,噪声系数小于1.6dB.在4K的条件下测试,调整放大器的偏置电压后,其增益能达到34.3士1.3dB.
关键词:
低温
,
宽频带
,
低噪声放大器
