黄创君
,
林璇英
,
林揆训
,
余云鹏
,
余楚迎
,
池凌飞
功能材料
以SiCl4-H2为气源,用等离子体化学气相沉积技术,在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜.最大晶粒达1.5μm,结晶度在90%以上.薄膜中不合Cl、H、C、N、O等杂质,暗电导率高达10-4Ω-1@cm-1,光照稳定性好.对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论.
关键词:
多晶硅薄膜
,
SiCl4/H2气源
,
低温生长
,
结晶度
王晓强
,
贺德衍
,
李明亚
,
甄聪棉
,
韩秀梅
稀有金属材料与工程
利用单圈内置式ICP-CVD方法在室温下制备了Si薄膜.在拉曼光谱、原子力显微镜(AFM)对样品结构分析的基础上,采用对样品结构无损伤的椭圆偏振光谱(SE)法对样品进行了测量,结合有效介质近似(EMA)模型,对样品的微结构进行了计算拟合.拉曼光谱及AFM分析表明:样品为具有纳米晶相的Si薄膜;分光椭圆偏振法结合EMA模型对样品微结构的拟合分析得出了同样的结论,说明即使在室温下用ICP-CVD也获得了具有纳米晶相的Si薄膜,薄膜微结构与源气体SiH4浓度有密切关系.说明分光椭圆偏振法是研究薄膜材料的一种有力手段.
关键词:
ICP-CVD
,
Si薄膜
,
低温生长
,
椭偏光谱法
唐立丹
,
梅海林
,
冯嘉恒
,
王冰
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.021
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析.结果表明,采用原子层沉积在150℃下制备 AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al 掺杂对 ZnO 的(002)有明显的抑制作用,Al 在基体中弥散分布,其部分替换ZnO 晶格中的Zn,以Al—O 的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO 薄膜电阻率为4．61×10－4Ω·cm.
关键词:
Al 掺杂 ZnO
,
原子层沉积
,
低温生长
,
晶态薄膜
顾彪
,
徐茵
,
秦福文
,
丛吉远
,
张砚臣
,
孙捷
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.02.016
研究了以 (001) GaAs为衬底的用ECR-PAMOCVD法生长的立方GaN薄膜的主要性质, 阐述了实验过程与生长用设备. 在生长过程中, 衬底温度约为600℃, 反应器内压力约0.4 Pa.
关键词:
立方GaN
,
低温生长
,
活化氮源
,
ECR-PAMOCVD
曹章轶
,
吴敏
,
张冬冬
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201508014
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系.结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响.
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
衬底温度
,
低温生长
,
结晶质量
孙澜
,
陈平
,
韩平
,
郑有炓
,
史君
,
朱嘉
,
朱顺明
,
顾书林
,
张荣
功能材料
采用低压化学气相淀积方法以相对较低的生长温度(900～1050℃)在蓝宝石(0001)衬底上外延生长了6H-SiC单晶薄膜.其晶体质量和结构由X射线衍射谱和喇曼散射谱的测量结果得到确定.俄歇电子能谱和X射线光电子能谱的观察表明所制备的6H-SiC薄膜中的Si-C键的结合能为181.4eV,Si与C的原子比符合SiC的化学配比.扫描电子显微镜的分析显示6H-SiC外延层和蓝宝石衬底间的界面相当平整.由紫外及可见光波段吸收谱的结果得到所生长的6H-SiC的禁带宽度为2.83eV、折射系数在2.5～2.7之间,均与6H-SiC体材料的相应数据一致.
关键词:
化学气相淀积
,
6H-SiC
,
蓝宝石
,
低温生长
林璠
,
孔慧
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201601002
首先采用热蒸发法在镀钼的 PI 衬底上沉积 NaF 薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积 NaF 的 PI 衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对 CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明：随着第二步沉积速率增大,CIGSe 薄膜的晶粒尺寸显著增大,(220/204)择优取向生长逐渐增强；随着钠掺杂量增加,CIGSe 薄膜的电阻率显著下降,晶粒尺寸逐渐减小,择优取向从(220/204)织构方向转变为(112)织构方向,并出现镓的两相分离现象。
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
沉积速率
,
钠掺杂
,
低温生长
杨智慧
,
秦福文
,
吴爱民
,
宋世巍
,
刘胜芳
,
陈伟绩
人工晶体学报
利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO:Al薄膜.采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO:Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜.利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响.
关键词:
掺铝氧化锌衬底
,
GaN薄膜
,
低温生长
