张旭
,
张桂玲
,
胥超
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.016
在Si单晶表面真空沉积有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)可形成有机/无机异质结.利用铟锡氧化物(ITO)沉积在PTCD表面作为光的入射窗口,在其表面溅射Al/Ni接触电极,在氢气保护气氛中经350℃,3分钟合金化,其比接触电阻Ps达5.2×10-5·cm2.利用α台阶仪,原子力显微镜,紫外可见分光光度计及Ⅹ射线衍射仪,对其形成良好低阻欧姆电极的工艺条件及表面和界面进行了分析讨论.
关键词:
磁控溅射
,
有机光电探测器
,
低阻欧姆接触
