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颗粒膜电介质光子晶体低频折射率问题分析

郑勇林 , 赵茂娟 , 杨敏

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.06.012

应用颗粒膜电介质晶体在低频极限下的准静态折射率、(εeffμeff)和静态折射率(εeff)的关系,分析和计算了光子晶体低频折射率.结果表明:由于低频电磁波诱导的涡流(或极化电流),使非磁性光子晶体显现反磁性共振,这个共振依赖于周期性颗粒的半径α和趋肤深度δ0之间的关系.即,如果δ0<<α,包含物内部电磁场被屏蔽,使每一种包含物的行为像μ=0的理想反磁性体.对于平行颗粒膜平面(H偏振)的电磁波,光子晶体的反磁性磁导率(μeff=1-f)总体上是随填充数的增加而线性地减少;相反地,当趋肤层大于半径,则反磁性体共振可以忽略.周期性颗粒的磁化引起静态和准静态折射率的结论,解释了非对易限制的问题.

关键词: 材料 , 颗粒膜晶体 , 光子晶体 , 低频折射率 , 介电常数和磁导率

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