夏超
,
王中健
,
何大伟
,
徐大伟
,
张有为
,
程新红
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.004
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高；Trench长度(0.8 -1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低；场氧化层长度(2 -4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加.
关键词:
SOI ESD
,
SCR
,
Sentaurus
,
保护器件
