蒋冬华
,
李淳东
,
李炳天
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20112602.0170
在TFT-LCD阵列的四次掩模技术中,复合层刻蚀是非常难控制的一道工序,最突出的问题是在复合层刻蚀后信号线的两边有金属残留,金属残留会对之后的绝缘层产生影响,导致断层等不良.调整复合层刻蚀工艺是目前解决金属残留问题的通用方法,但是都没有根本地解决这个问题.文章通过研究信号线刻蚀时间对复合层刻蚀后金属残留的影响,认为通过调整信号线的刻蚀时间能够根本解决复合层刻蚀后金属残留的问题,并且不会使金属线线宽超出控制范围.
关键词:
四次掩模
,
复合层
,
刻蚀
,
信号线
,
金属残留
