邹春梅
,
左长明
,
路胜博
,
催旭梅
,
姬洪
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.001
用MOD方法在LAO基片上沉积不同厚度的YBCO薄膜.用X射线衍射仪对这一系列样品进行表征分析,研究随着薄膜厚度的增加微结构的变化及临界电流密度的变化.X射线衍射分析发现YBCO薄膜取向度随薄膜厚度的增加,在800nm时取得最佳值之后又随厚度增加由强变弱.晶格常数c随着膜厚的增加而增大.本研究对这一系列样品进行了φ扫描分析和摇摆曲线半高宽的计算,并对800nm的YBCO薄膜做了倒易空间图谱分析,实验结果发现800nm的YBCO薄膜晶化比较好.本研究还分析了薄膜厚度对YBCO薄膜临界电流密度的影响.
关键词:
YBCO薄膜
,
微结构
,
晶格常数C
,
φ扫描
,
倒易空间
,
临界电流密度
,
摇摆曲线
