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VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析

张晓丹 , 高艳涛 , 赵颖 , 朱锋 , 魏长春 , 孙建 , 侯国付 , 薛俊明 , 张德坤 , 任慧志 , 耿新华 , 熊绍珍

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.013

本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究.结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变.傅立叶变换红外吸收(FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多.而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为31%.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 , 微晶硅薄膜 , 傅立叶变换红外吸收

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