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光加热悬浮区熔法制备(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单相单晶体

姜艳 , 朱鸥 , 张澜庭 , 郁金星 , 吴建生

机械工程材料

采用光加热悬浮区熔法制备了(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单晶体,研究了化学成分和生长速度对获得C40结构单晶体的影响.结果表明:采用此法可制备出表面无裂纹的(Mo_(0.85) Nb_(0.15))Si_2单晶体,其尺寸可达φ8 mm×90 mm,晶体的生长面接近(0001)面,生长形态符合布拉维法则、周期键链(PBC)理论和小面生长理论.

关键词: 悬浮区熔 , 单相 , 单晶体 , (Mo_(0.85) , Nb_(0.15))Si_2 , 光加热

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