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太赫兹场作用下半导体超晶格的动力学过程及光吸收谱研究

李敏 , 米贤武

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.04.018

基于激子基,采用密度矩阵理论研究了太赫兹场作用下半导体超品格的子带间动力学过程及光吸收谱.在太赫兹场的驱动下,激子作布洛赫振荡.子带间极化的缓慢变化依赖于太赫兹频率,随着太赫兹频率的增加,子带间极化向下振荡,极化强度降低.以In0.52Al0.48As/InAs和Ga0.7Al0.3As/GaAs两种超晶格为例进行研究,它们的光吸收谱出现了卫星峰结构,这是由于太赫兹场与万尼尔斯塔克阶梯激子作用的非线性效应产生的.但是就In0.52Al0.48As/InAs与Ga0.7Al0.3As/GaAs超晶格相比而言,研究发现, n<0的激子态与n=0的激子态耦合作用较强,使得光吸收谱吻合性较好, n=0时的激子态吸收光谱出现红移, n>0的激子态光吸收谱中出现的边带效应不是很明显.

关键词: 光电子学 , 光吸收谱 , 密度矩阵理论 , 半导体超晶格 , 太赫兹电磁波

能量ε＜0时Li原子在平行电磁场中的光吸收谱研究

宋晓红 , 林圣路

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.02.013

利用包括实散射的闭合轨道理论和分区自洽的迭代算法, 计算了标度能量为ε=-0.03 , 标度电场=0.01时的平行电磁场中n≈40, m=0的Li原子闭合轨道以及光吸收谱. 介绍了谱的标度特性, 它对理解量子与经典之间的对应关系具有非常重要的意义. 并与同样情况下的氢原子谱作了比较. 验证了离子实对光吸收过程的重要作用.

关键词: 闭合轨道理论 , 光吸收谱 , 分区自洽的迭代算 , 实散射

太赫兹场作用下GaAs 量子阱的光吸收研究

米贤武 , 曹俊诚

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.038

用密度矩阵理论,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱.在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带.这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.

关键词: 光吸收谱 , 量子阱 , 太拉赫兹

硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究

赵子强

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.z1.030

利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程序模拟计算都表明团簇效应的存在.

关键词: 团簇离子 , 光吸收谱 , 团簇区

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