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在蓝宝石光纤端面上生长ZnO薄膜的方法及光学性能分析

周红 , 隋成华 , 陈乃波 , 许晓军 , 魏高尧 , 蔡萍根

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.001

介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好的表面形貌和晶体结构的ZnO晶体薄膜的方法,并构建了一套具有较低插入损耗的光纤检测系统用于光学性能分析.透射光谱测试结果显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的ZnO薄膜具有陡峭的光学吸收边,且经历400 ℃高温退火后,除可见光波段(400~450 am)透射率有一定的减小外,其在紫外波段(300~380 nm)的光学吸收边仍基本重合,表明在光纤端面上的ZnO晶体薄膜具有较好的温度稳定性,这为今后进一步利用ZnO薄膜光学吸收边随温度变化而移动的特性,研制以ZnO镀膜为敏感材料的新型光纤温度传感器打下良好的基础.

关键词: ZnO薄膜 , 蓝宝石光纤 , 光学吸收边 , 光纤温度传感器

ZnO:Al薄膜的组织结构与性能

裴志亮 , 谭明晖 , 杜昊 , 陈猛 , 孙超 , 黄荣芳 , 闻立时

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.018

用直流磁控反应溅射合金靶制备了ZnO薄膜,研究了衬底温度和退火温度对薄膜的结构及电学和光学性能的影响.衬底温度升高能改善薄膜的电学特性,其原因是薄膜晶粒尺寸的增大.温度升高导致薄膜基本光学吸收边向短波移动,但对高透射区(450~850nm)的透射率影响不大.

关键词: ZnO薄膜 , 温度 , 光学吸收边 , 透射率

250 keV He+离子注入钽酸锂改性研究

庞立龙 , 王志光 , 姚存峰 , 崔明焕 , 孙建荣 , 申铁龙 , 魏孔芳 , 朱亚滨 , 盛彦斌

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.30.01.067

室温下,将能量为250 keV He+离子注入z切钽酸锂单晶,注量范围为5.0×1014~5.0×1016He+/cm2,应用三维轮廓仪、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光学吸收谱对未注入和注入样品进行了表征和分析.分析结果表明,在注量达到5.0×1016 He+/cm2时,样品表面出现大量凸起条纹,同时晶格沿着[001]方向出现明显肿胀,吸收边则表现出明显的注量相关性.注入样品在空气中放置60 d后,最高注量的样品表面原来凸起的条纹变为细长的裂纹,晶格应变及光学吸收边均出现较大的恢复.讨论了样品表面形貌、晶格应变和光学吸收边与He行为的关系.

关键词: 钽酸锂 , He+注入 , 表面形貌 , X射线衍射 , 光学吸收边

蓝宝石光纤端面上ZnO薄膜的温变特性

周红

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.004

为了能利用半导体材料ZnO对光谱曲线随温度变化而移动的原理设计一种光纤温度传感器,因此有必要对生长在光纤端面上的ZnO材料的温变特性的进行研究.基于ZnO材料的测温原理,利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长ZnO薄膜,并设计了一种具有低插入损耗的光纤检测系统用于光学性能的分析.光谱测试结果显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的ZnO薄膜具有陡峭的光学吸收边,随着温度的升高(室温~450℃),ZnO薄膜的禁带宽度减小,吸收边向长波长方向移动,符合半导体材料的温变特性.同时随着温度的升高,平均的透射率有一定的减小.ZnO薄膜温变特性的研究,将为进一步研制以ZnO镀膜为敏感材料的新型光纤温度传感器打下良好的基础.

关键词: 温度传感器 , ZnO薄膜 , 光学吸收边

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