潘建国
,
曾金波
,
林秀钦
,
魏兆敏
,
林羽
,
林敢
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.013
本文研究了DKDP晶体溶液中的有害杂质、过热方式和溶液稳定性的关系.根据DKDP晶体快速生长的特点,设计了新的晶体生长装置.并利用新的生长装置进行了DKDP晶体的快速生长,生长出60mm×60mm×60mm的高光学质量的DKDP晶体.测量了快速生长出的DKDP晶体的透过率和光学均匀性.
关键词:
DKDP晶体
,
稳定性
,
快速生长
,
光学均匀性
唐婧婧
,
赵北君
,
朱世富
,
何知宇
,
陈宝军
,
黄巍
,
刘维佳
,
张聪
人工晶体学报
采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8 μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性.结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3 ～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著；分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径.研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值.
关键词:
CdGeAs2晶体
,
退火
,
红外透过率
,
光学均匀性
孙云
,
牟晓明
,
王圣来
,
顾庆天
,
许心光
,
丁建旭
,
刘光霞
,
刘文洁
,
朱胜军
人工晶体学报
本文在不同退火温度和时间下对KDP晶体进行退火实验,并对其光学质量进行了测试和分析.实验表明:合适的退火条件可以增加晶体的透过率、提高光学均匀性、减少散射颗粒,其中160℃为KDP晶体最佳退火温度.在相同的退火温度下,延长退火时间能够更好地提高晶体的光学均匀性和结构完整性.在160℃下退火48h能够使晶体的光损伤阈值提高28％,退火240h能够提高40％以上.
关键词:
KDP晶体
,
退火
,
光学均匀性
,
透过率
,
损伤阈值
卢永强
,
王圣来
,
牟晓明
,
丁建旭
,
孙云
,
王正平
,
程秀凤
,
许心光
,
王波
功能材料
用传统降温法和快速生长法生长了Al3+离子掺杂的磷酸二氢钾(KDP)晶体,并对掺杂的KDP晶体的光学质量进行了测试和分析.实验表明,Al3+掺杂对 KDP晶体的透光率没有明显的影响,但会使晶体的光散射加剧,光学均匀性和激光损伤阈值下降.
关键词:
KDP晶体
,
Al3+
,
光学质量
,
透过率
,
光学均匀性
,
损伤阈值
岳银超
,
胡章贵
人工晶体学报
本文讨论了影响BaAlBO3F2(BABF)晶体生长尺寸和质量的相关因素,诸如助熔剂的选择、生长原料的制备、籽晶的处理、温度梯度、晶体转速、降温速率等.采用新的B2O3-LiF-NaF助熔剂体系,[001]向籽晶,20～40 r/min的转速,1～5℃/d的降温速率,通过中部籽晶法生长出了尺寸为40×30×12 mm3、光学均匀性为△n≈4.048×10-6/cm的BABF晶体.
关键词:
BABF晶体
,
中部籽晶法
,
生长条件
,
光学均匀性
林湲
,
岳银超
,
李小矛
,
杨蕾
,
胡章贵
人工晶体学报
本文通过对BaAlBO3F2(BABF)晶体进行掺杂以增加晶体的双折射率,从而使BABF晶体的最短直接倍频波长紫移,拓宽其应用波段.研究发现Ga掺杂能够使BABF晶体的最短直接倍频波长从273 nm紫移至259.5 nm理论上能够实现四倍频(266 nm)激光输出.采用优化的B2O3-LiF-NaF助熔剂体系,通过中部籽晶法生长出尺寸为25 mm×20 mm×10 mm的Ba(Al,Ga) BO3F2晶体.对该晶体的透过光谱、光学均匀性、弱吸收、倍频匹配曲线、粉末倍频效应和激光损伤阈值的性能进行了表征,结果显示了该晶体在紫外波段激光输出的潜能.
关键词:
BABF晶体
,
四倍频
,
光学均匀性
,
双折射率
,
损伤阈值
王晓丹
,
赵志伟
,
王静雅
,
徐军
,
Gilbert Bourdet
,
J.-C. Chanteloup
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.01.024
采用热键合技术制备了Yb:Y3Al5O12/Y3Al5O12(Yb:YAG/YAG)复合晶体,对复合晶体进行了结构表征和键合质量检测.利用光学显微镜和扫描电镜观察了复合晶体横截面的形貌;在偏光显微镜下观察键合区域的应力,利用干涉条纹来表征复合晶体的光学均匀性;通过红外透过光谱的测量来检测复合晶体的键合质量.实验结果表明:热键合技术制备的Yb:YAG/YAG复合晶体键合界面处无界面缺陷,不存在复合界面空间过渡层,光学均匀性良好.
关键词:
Yb:YAG/YAG
,
键合质量
,
应力
,
光学均匀性
,
热键合
陈红兵
,
肖华平
,
徐方
,
方奇术
,
蒋成勇
,
杨培志
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01036
采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律. 结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380～550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势. 通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性.
关键词:
钨酸镉
,
晶体生长
,
坩埚下降法
,
光学均匀性
涂小牛
,
郑燕青
,
陈辉
,
孔海宽
,
忻隽
,
曾一明
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.01257
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀性,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度Δn、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达Δn<5011×10-5.在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.
关键词:
高掺镁铌酸锂晶体
,
紫外吸收边
,
OH吸收峰
,
畴结构
,
光学均匀性
