张楠
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刘家祥
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曾胜男
稀有金属材料与工程
以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟(ITO)前驱物浆料,通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜.研究了不同Sn掺杂量5%～20%(质量分数,下同)对ITO薄膜光电性能的影响.用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜,样品的光电性能,并对其进行X射线衍射分析.结果表明:当Sn掺杂量为10%时薄膜的方电阻最小,为153 Ω/□,不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构;薄膜在可见光区平均透过率≥82%.基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析,研究了ITO薄膜的结构特性,并讨论了薄膜的导电机制.结果表明:胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子.通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明,薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁,且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势,在Sn掺杂量为15%时为最大值3.65 eV.
关键词:
ITO薄膜
,
胶体法
,
掺杂
,
导电机制
,
光学能隙
梁海锋
,
原飞
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.05.009
在类金刚石薄膜(DLC)光学特性的研究方面,主要工作集中在红外区光学特性,在可见区和紫外区光学特性研究方面存在空白;鉴于此详细研究了采用脉冲电弧沉积DLC薄膜在可见区和紫外区的光学特性.利用脉冲电弧离子镀技术,在石英基片上和不同工艺条件下制备了类金刚石薄膜,研究了类金刚石薄膜在紫外和可见区的光学常数、光学透过率和光学能隙.结果表明,主回路电压是薄膜的光学常数变化的主要影响因素,低主回路电压下制备的类金刚石薄膜具有较低消光系数和折射率;不同的工艺条件下制备的类金刚石折射率从2.56变化到1.89(波长400nm);沉积速率对薄膜的折射率和消光系数没有明显的影响;DLC薄膜的光学能隙在3.95eV左右;紫外区和可见区的透过率谱和椭偏仪测得的光学常数相互一致.
关键词:
类金刚石薄膜
,
光学常数
,
光学能隙
,
透过率
徐世友
,
祁英昆
,
张溪文
,
韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.005
本文从应用出发,选择光学石英为衬底,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1-x薄膜,对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见等测试.XRD、SEM结果显示薄膜多晶态,表面形貌随时间变化,最终为胞状;紫外-可见光光谱结果显示BPxN1-x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动.因此,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整.另外,BPxN1-x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器.
关键词:
BPxN1-x薄膜
,
光学能隙
,
磷掺杂
,
紫外液晶光阀
孙震
,
谢晗科
,
狄霞
,
李卫
,
冯良桓
,
张静全
,
武莉莉
,
黎兵
,
雷智
功能材料
采用真空共蒸发法制备了Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜,研究了Cd_(1-x)Zn_xS(x=0.88)多晶薄膜的结构与光电特性.XRD的结果表明,0＜x≤0.9,Cd_(1-x)Zn_xS薄膜为六方结构,高度择优取向;荧光光谱分析与Vegard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的组分吻合;制备的Cd_(1-x)Zn_xS多晶薄膜的光学透射谱的吸收边随Zn含量的增加发生蓝移,其光学能隙调制在CdS与ZnS能隙之间;最后测量了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况,计算了Cd_(1-x)Zn_xS薄膜的电导激活能.
关键词:
Cd_(1-x)Zn_xS
,
多晶薄膜
,
共蒸发
,
光学能隙
,
电导激活能
