邢启江
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.033
光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构.InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条.在W0.95-Ni0.05金属薄膜应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构.W0.95Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体(85%N2,15%H2)的保护下,分别在250℃,350℃,450℃,600℃温度下各退火0.5h以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了原来的1/10左右.退火前后光弹波导输出的近场光模没有发生很大的变化.这些实验结果充分证明了由W0.95Ni0.05金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性.
关键词:
WNi/半导体接触
,
光弹效应
,
平面型波导器件
,
热稳定性
汪梅婷
,
武校刚
,
童凯
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.012
根据介质的光弹效应,采用有限元法对二维光子晶体的能带特性进行分析.给二维光子晶体施加应力时,由于构成二维光子晶体介质的光弹效应,引起介质的折射率变化,使得光子晶体的能带结构发生变化.详细分析了外加应力变化对基于Si/SiO2二维光子晶体能带结构特性的影响,结果表明,禁带的起始波长、截止波长及禁带宽度的变化量与外加应力呈线性关系.
关键词:
光电子学
,
能带特性
,
有限元法
,
二维光子晶体
,
光弹效应
,
应力
恩德
,
冯捷逾
,
张宁波
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.03.018
采用惯性力与简谐振子相垂直及差动检测技术的方法,设计基于光弹效应的三分量加速度地震检波器简谐振子,对于简谐振子中的双M-Z干涉仪而言,光功率的均分和光的单模传输是实现正确检测加速度的基础.介绍了M-Z干涉仪的结构和工作原理.用波导光学模拟软件OptiBPMv9.0对双M-Z干涉仪光场传输进行仿真,得到双M-Z干涉仪的光场传输图.从仿真结果可以看出,从激光器LD发出的光经过双M-Z干涉仪后,1/4分支波导的光场峰值都达到了0.52,分光比达到了1∶1∶1∶1,实现了光功率的均分,设计的简谐振子满足三分量加速度地震检波器实现正确检测加速度的要求.
关键词:
纤维与波导光学
,
简谐振子
,
M-Z干涉仪
,
光弹效应
,
三分量
