焦静
,
沈鸿烈
,
王威
,
江丰
人工晶体学报
本文用氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系采用化学浴沉积法合成CdS薄膜,制备出均匀、致密的CdS薄膜,通过XRD、SEM、EDS、紫外可见吸收光谱等表征手段研究了CdS薄膜的晶体结构,表面形貌,元素比例和光电性能.发现在不同水浴温度下都成功制备了CdS薄膜,其中75℃制备的CdS薄膜最为均匀致密且其XRD衍射峰强度最强,光吸收边在500 nm附近,禁带宽度大约为2.52 eV.这些CdS薄膜的光电响应大,暗态及光照下的电导率分别为1×10-4S·cm-1和1.04×10-2 S · cm-1.用它们制备的CdS/CZTS异质结太阳电池具有明显的光伏效应.
关键词:
化学浴沉积法
,
CdS薄膜
,
光吸收
,
光电响应
,
电导率
王宏智
,
卢敬
,
姚素薇
,
张卫国
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.001
以SeO2为硒源,以阳极氧化铝为模板,采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析,确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成,并分析了其沉积机理.在此基础上,以阳极氧化铝为模板,通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列.采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征.扫描电镜形貌分析表明,CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一;直径约100 nm,与模板孔径一致.X-射线衍射测试表明,所制得的CdSe纳米线为立方晶型.光电性能测试表明,CdSe纳米线阵列电极的开路电位差值为324.8 mV,高于CdSe薄膜(125.5 mV);光催化降解罗丹明B测试表明,5h后,CdSe纳米线的降解率达94.29％,强于CdSe薄膜(52.03％).
关键词:
AAO
,
CdSe纳米线
,
电沉积
,
光电响应
,
光催化
朱建军
,
葛红花
,
徐乃欣
,
周国定
,
张承典
腐蚀与防护
用动电位伏安法、动电位光电流测量、表面膜的阴极还原和XRD分析等手段研究了铜在含或不含人血清白蛋白的模拟宫腔液(pH=7)中的电化学和光电化学行为.在不含白蛋白的模拟宫腔液中,铜电极表面生成的Cu2O呈n型光响应;一定量白蛋白存在时使Cu2O的光响应从n型转为p型.Cu2O在模拟宫腔液中呈n型光响应可归因于氯离子对Cu2O的掺杂;白蛋白排斥氯离子对Cu2O的掺杂,使其光响应从n型转为p型.
关键词:
血清白蛋白
,
模拟宫腔液
,
铜电极
,
光电响应
张金星
,
曹传宝
,
朱鹤荪
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.03.003
在ITO(In2O3:Sn)衬底上射频溅射ZnO薄膜,研究了射频溅射功率对ZnO薄膜的晶体结构,表面形貌及光学透过率的影响.结果表明,随着射频功率的提高,沿(002)方向生长的ZnO薄膜的结晶度显著增强,薄膜的表面颗粒略有减小,表面粗糙度由13.13 nm降低到5.06 nm.在300～400 nm波长范围内薄膜的光学透过率随着射频功率的增加而降低.在双层薄膜中空间内建电场的存在有助于光生电子和空穴有效地分离,使ZnO/ITO双层薄膜具有较强的光电响应能力,光电流达14μA.
关键词:
无机非金属材料
,
射频磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
光电响应
,
射频功率
金冲
,
张卫国
,
姚素薇
,
王宏智
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.00054
通过阳极氧化法在钛箔上制备了TiO2纳米管阵列,在不同热处理工艺下使其晶化,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对TiO2纳米管阵列的形貌和结构进行了表征.结果表明,阳极氧化法制备的TiO2纳米管经450～750℃热处理后为纳米晶结构,平均晶粒尺寸随退火温度升高而增大,相同温度下氮气气氛中热处理的TiO2平均晶粒尺寸小于空气气氛中热处理的TiO2.氮气气氛下退火可拓宽TiO2由锐钛矿型(Anatase)向金红石型(Rutile)结构转变的热处理温度范围,650℃以上退火处理后,TiO2纳米管中掺杂有少量的氮.光照开路电位测试和稳态极化曲线测试结果表明,在氮气气氛中、经650℃退火处理2h制备的TiO2纳米管阵列电极光电响应性能最佳,此时TiO2力锐钛矿型和金红石型的混晶结构.
关键词:
TiO2纳米管
,
退火
,
晶体结构
,
光电响应
熊中平
,
司玉军
,
李敏娇
,
冯具平
钢铁钒钛
doi:10.7513/j.issn.1004-7638.2016.01.011
用阳极氧化法在钛片表面制备空白TiO2纳米管阵列,用电化学阴极还原法在其表面沉积锰,通过正交试验考察沉积条件对锰修饰TiO2纳米管阵列光电响应的影响.结果表明,锰的表面修饰可以增强TiO2纳米管阵列对可见光的响应,在0.5 V(vs.SCE)的偏电压下,光电流显著增大.沉积时间和沉积电压是影响锰沉积的主要因素,锰沉积的最佳条件为:沉积时间30 s、电压-2 V、锰离子浓度10 mmol/L.
关键词:
TiO2
,
纳米管阵列
,
锰修饰
,
电化学沉积
,
光电响应
