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磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究

钟志有 , 张腾 , 顾锦华 , 孙奉娄

人工晶体学报

采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响.当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优良指数(7.9×102 S·cm-1),其光电综合性能最佳.同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小.

关键词: 透明导电薄膜 , 掺锡氧化铟 , 晶体结构 , 光电学性能

室温条件下射频磁控溅射法制备AZO 薄膜的结构与光电性能

孙宜华 , 王海林 , 陈剑 , 方亮 , 王磊

中国有色金属学报(英文版) doi:10.1016/S1003-6326(16)64275-9

采用高致密度靶材在室温条件下玻璃衬底上 RF 磁控溅射制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜。用 X 射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔测试仪分析表征薄膜的显微组织、表面形貌和光电学性能。结果表明,所制备的薄膜均为多晶六方纤锌矿结构,溅射功率对 AZO 薄膜的光电学性能,尤其是电学性能有重要影响。不同溅射功率下薄膜可见光平均透过率均大于85%,当溅射功率为200 W 时,获得最小电阻率4.5×10?4Ω·cm 和87.1%的透过率。AZO 薄膜禁带宽度随溅射功率不同在3.48~3.68 eV 范围内变化。

关键词: AZO薄膜 , 显微组织 , 光电学性能 , RF磁控溅射

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