周咏东
,
赵军
,
李言谨
,
方家熊
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.022
利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面低温生长了CdTe介质薄膜.分别用CdTe介质膜和HgCdTe自身阳极氧化膜对HgCdTe表面钝化.利用光电导衰退信号波形的拟合,得到了不同表面钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度.结果表明,CdTe/HgCdTe界面质量已超过自身阳极氧化膜/HgCdTe界面质量.
关键词:
CdTe
,
Ar+
,
束溅射沉积
,
HgCdTe
,
光电导衰退
,
表面复合速度
