苗凤秀
,
万松明
,
张庆礼
,
吕宪顺
,
顾桂新
,
殷绍唐
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.05.008
开展了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的合成研究,并首次报道了这两种化合物的基本光电性质.以水合肼(N2H4·H2O)为还原剂,以CuCl、BiCl3和S(或Se)为原料,通过溶剂热与固相反应相结合的方法成功制备了CuBi3S5和CuBi3Se5两种化合物的多晶.采用四点探针法获得了这两种化合物的电阻随温度变化的关系,结果表明: CuBi3Se5呈金属性质,而CuBi3S5呈半导体性质.根据Arrhenius关系式计算出CuBi3S5室温下的热激活能为17.1 meV.在室温下对CuBi3S5多晶块体进行了霍尔效应实验,结果表明:其载流子浓度为3.75×1017 cm-3,霍尔迁移率为14 cm2V-1s-1,CuBi3S5为n型半导体.漫反射光谱的实验结果表明CuBi3S5的禁带宽度约为0.66 eV.
关键词:
材料
,
光电性质
,
溶剂热法
,
四点探针法
,
霍尔效应
,
CuBi3S5
,
CuBi3Se5
杨正文
,
周济
,
孙丽
,
邱建备
,
宋志国
,
周大成
,
尹兆益
,
李龙土
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.007
光子带隙的存在不仅产生出一大批新型材料和器件,也能够提供一种特殊的物理环境-具有波长尺度的介电周期场.这种物理环境为各种光电材料中光物理过程和光电性质的调制提供一种新的可能性.本文综合分析了光子晶体调制下光功能材料的自发辐射、能量传递、太阳能电池的光电转换效率、光催化等几个方面研究现状及其应用.
关键词:
光子晶体
,
光子带隙
,
调制
,
光电性质
来国红
,
余志强
,
张昌华
,
廖红华
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.033
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响.结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64 eV.单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础.
关键词:
第一性原理
,
单层二硫化钼
,
电子结构
,
光电性质
熊锡成
,
谢泉
,
张晋敏
,
肖清泉
材料导报
详细介绍了β-FeSi2的结构和β-FeSi2薄膜的物理特性,以及基于β-FeSi2薄膜的异质结在光电方面的应用.目前,基于β-FeSi2薄膜的异质结应用的研究主要集中在PL和EL等LED领域,而对其应用于太阳能电池方面的研究还很薄弱,所获得的光电转换效率最高是3.7%,远低于其16%～23%的理论值.
关键词:
β-FeSi2
,
晶体结构
,
光电性质
,
异质结
,
太阳能电池
段军红
,
何兴道
,
高益庆
,
肖文波
,
余达祥
,
施培琴
,
江茫
,
刘智昂
材料导报
介绍了一维SnO_2纳米结构的制备方法,重点阐述了气相合成和液相合成的生长机理,评述了几种典型一维纳米结构的合成、微结构及形成机理,综述了一维SnO_2纳米结构的光致发光、光响应、光电导、电输运、场发射及气敏特性方面的研究结果,并展望了未来的研究方向.
关键词:
SnO_2
,
一维纳米结构
,
制备
,
光电性质
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
薄膜厚度
,
光电性质
柯笑晗
,
陈云琳
,
朱亚彬
,
范天伟
人工晶体学报
在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究.结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38％,平均透光率比LN衬底提高了1.1％.应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67.
关键词:
ITO薄膜
,
铌酸锂
,
磁控溅射
,
光电性质
姜晶
,
吴志明
,
王涛
,
郭正宇
,
于贺
,
蒋亚东
材料导报
黑硅是一种新型的硅材料,具有优异的光电性质.概括了Eric Mazur以及其他研究者近年来关于黑硅的研究工作,详细介绍了黑硅的制备与产生机理以及黑硅的吸收、发光、场发射与光谱响应等性质,并指出了黑硅在红外探测器、太阳能电池以及平板显示器等领域的重要潜在应用价值.
关键词:
黑硅
,
飞秒激光器
,
微构造
,
光电性质
王敏
,
吴波
,
刘海龙
,
黄超然
,
付金彪
,
赵春凤
,
吴育锋
,
熊远鹏
,
周泽友
硅酸盐通报
铝掺杂氧化锌(ZAO)透明导电膜兼具电阻率低和透光性好的特点,在光学与光电子领域具有广阔的应用前景.本文以微米级的高纯超细ZnO和Al2O3粉体为原料,通过控制适当的素坯成型压力,烧结前增加冷等静压环节,优化烧结工艺,制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材.在16 MPa的成型压力,120 MPa冷等静压,1350℃×1h的烧结工艺下,制备出了高致密度和低电阻率的ZAO靶材,其致密度达98.0％,电阻率为1.8 × 10-2 Ω·cm,接近于热等静压所制备出的ZAO靶材.利用自制靶材,通过射频磁控溅射法,进一步制备出了ZAO薄膜,透光率达到88.6％,最低电阻率达到2.1×10-3 Ω·cm.
关键词:
透明导电氧化物
,
常压烧结法
,
射频磁控溅射
,
显微组织
,
光电性质
