常玉春
,
罗海林
,
王玉琦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.034
提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器.通过优化器件结构参数,使基区在工作时完全耗尽,从而得到大的光增益和小的噪声电流.实验测光电转换增益大于150,000;器件具有良好的噪声特性,噪声功率与器件的直流偏置电流成正比,即(in2)=2qIcΔf.
关键词:
光电晶体管
,
光探测器
,
穿通基区
,
噪声
,
双极晶体管
周涛
,
吴志颖
,
吴元庆
,
路春希
硅酸盐通报
利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响.仿真结果表明:厚度为240 nm/130 nm的SiO2/Si3 N4双层减反射膜在特征波长(λ =0.88μm)处具有最优的光吸收效果和峰值光响应度(RM);为满足器件对红外波段的有效吸收和响应,外延层厚度应选择为55 ～ 60 μm;提高外延层电阻率虽可增大集-射击穿电压(BVCEO),但较高的外延层电阻率同时会降低红外波段光谱响应度;为了获得较高的红外光谱响应度,同时抑制可见光波段的响应,光照区域基区表面浓度应选择为5×1019 cm-3,结深应选择为2.5μm.
关键词:
光电晶体管
,
减反射膜
,
电阻率
,
少子寿命
,
掺杂浓度
,
光谱响应度
周涛
,
陆晓东
,
吴元庆
人工晶体学报
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了在不同上表面非金属接触区域复合速率(FSRV)、光强(Pin)及光照基区横向宽度(SBL)的情况下,硅NPN红外光电晶体管输出光电流(IL)及输出光电流线性度的变化特点和规律.仿真结果表明:当SBL一定时,随着FSRV的增大,在不同P.的情况下,光电晶体管的IL均减小.当FSRV较小(50～5000 cm/s)时,不同Pin情况下光电晶体管的IL差别较小.当FSRV较大(＞5000 cm/s)时,随着FSRV的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL显著降低.当FSRV—定时,随着SBL的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL均有不同程度的增大.随着SBL和Pin的进一步增大,不同FSRV情况下的IL均逐渐趋于饱和状态.当SBL一定时,FSRV越小,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.当FSRV—定时,SBL越大,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.
关键词:
光电晶体管
,
光照基区
,
光电流
,
输出特性
,
线性度
,
优化
