郭瑞
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李东临
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王怡
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武光明
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邢光建
材料导报
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了MgxZn1-xO(x=0～0.2)薄膜.采用X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计和荧光光谱仪研究了Mg掺杂量对MgxZn1-xO薄膜结构与光学性能的影响.XRD图谱表明,MgxZn1-xO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且呈现出C轴择优生长特性,当x>0.1时薄膜出现(100)面衍射峰,薄膜的c轴择优生长特性减弱,随着x值的增加,晶格常数c逐渐减小.紫外可见光透射光谱表明,Mg的掺入提高了薄膜在可见光范围内的透过率,同时使薄膜的禁带宽度增大.PL谱分析显示,Mg的掺入使薄膜的紫外发射峰和蓝光发射带发生蓝移,当x=0.1时近带边发射峰与杂质发射的强度比值最高.
关键词:
MgxZn1-xO薄膜
,
射频磁控溅射
,
透过率
,
光致发光谱
栾丽君
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介万奇
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王涛
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杜园园
稀有金属材料与工程
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果；而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰.这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故.拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致“类CdTe”的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化.
关键词:
铟掺杂
,
吸收边
,
红外透过率
,
光致发光谱
,
拉曼光谱
,
磁化强度
廖凌宏
,
周志文
,
李成
,
陈松岩
,
赖虹凯
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余金中
,
王启明
材料科学与工程学报
由于Si/SiGe异质结构的带阶差主要发生在价带,为实现高效率的发光,本文从理论上设计了在硅基Si1-x Gex虚衬底上外延应变补偿的Si/S1-y Ge,(y>x)量子阱的能带结构,将量子阱对电子的限制势垒提高到100meV以上.在实验上,采用300℃生长的Ge量子点插入层,制备出薄的SiGe驰豫缓冲层(虚衬底),表面Ge组份达到0.25,表面粗糙度小于2nm,驰豫度接近100%.在我们制备的SiGe缓冲层上外延了应变补偿SiGe/Si多量子阱结构,并初步研究了其发光特性.
关键词:
低维无机非金属材料
,
量子阱
,
光致发光谱
,
弛豫缓冲层
朱宝富
,
黄柏标
,
秦晓燕
,
李先林
,
姚书山
,
尉吉勇
,
张琦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.013
我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.
关键词:
MOCVD
,
退火
,
ZnO薄膜
,
X射线衍射
,
光致发光谱
史新宇
,
杨国建
,
李剑平
,
孙元平
,
徐宝龙
材料导报
应用水热法制备了立方相ZnS,通过均匀沉淀法得到ZnO包覆的ZnS颗粒.简单介绍了包覆的原理,对样品进行了XRD、SEM和光致发光光谱PL表征.结果表明,应用不同的表面活性剂可得到形貌各异的样品.
关键词:
硫化锌
,
水热法
,
均匀沉淀
,
ZnO包覆
,
光致发光谱
骆英民
,
马剑刚
,
徐海阳
,
刘益春
,
钟殿强
,
齐秀英
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.018
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电子束蒸镀
,
退火
,
Van der Pauw法
,
光致发光谱
邱春霞
,
阮永丰
,
张灵翠
,
刘雅丽
,
王帅
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃基底上制备了不同掺杂浓度的Cu∶ ZnO薄膜.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜样品的晶相结构和形貌,用荧光光谱仪测量了薄膜样品的光致发光谱.结果表明:Cu∶ ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,呈c轴择优取向,且因压应力的存在使其晶格常数略小于未掺杂薄膜样品的晶格常数；低温和高温退火处理的薄膜样品的光致发光谱(PL)中分别观察到414 nm、438 nm的蓝光双发射峰和510 nm左右的绿光发射峰.蓝光发射峰与样品中的Vzn和Zni有关,而绿光发射峰与样品中的Vo -Zni有关.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
Zn1-x Cux O薄膜
,
光致发光谱
,
缺陷能级
