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边历峰 , 江德生 , 陆书龙
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.037
分析了MBE生长的GaInNAs/GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL),细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs/GaAs样品的发光峰位的S-型反常温度依赖关系.并对材料进行了退火处理,结果发现退火有效地改善材料的发光特性,并且会造成S-型的转变温度降低,从而说明退火可以有效地减少局域态.
关键词: MBE , GaInNAs , 光致荧光谱(PL) , S-型温度依赖关系
