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500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.01.002

利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态.并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱.拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结...

关键词: UHV/CVD , 拉曼测量 , 光荧光 , Si0.5Ge0.5

InP/InGaAsP异质结ICP刻蚀表面损伤

董雷 , 张瑞康 , 江山 , 赵圣之 , 刘水华

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.03.009

本文详细研究了采用Cl2/H2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响.通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究.详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及...

关键词: 等离子体刻蚀 , 干法刻蚀损伤 , 感应耦合等离子体 , 光荧光

Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

谭春华 , 范广涵 , 李述体 , 周天明 , 黄琨 , 雷勇

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.025

低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测试结果表明掺Si使量子阱的生长速度增加,掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度改善了一个数量级.

关键词: 光电子学 , X射线双晶衍射 , 金属有机化学气相沉积 , 量子阱 , 光荧光

单取代聚乙炔的荧光光谱在低温下的裂变

周甫方 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.025

在18至300 K的温度范围内,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.在室温时,这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的...

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 低温效应 , 单取代聚乙炔

带有咔唑支链的聚乙炔的发光特性研究

薛清 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.017

在室温下,对单取代聚乙炔(PACz-1)和两种双取代聚乙炔[PACz-2(m=3)、PACz-2(m=9)]的荧光特性和电子结构进行了研究.每种聚乙炔的支链上有一个咔唑单元.虽然它们的分子结构不同,但它们的稀溶液却有相同的吸收峰和强的绿色荧光发射峰,并且它们的吸收谱和发射谱很相似.当溶液的浓度增大到...

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 高分子共轭的主链

带支链聚乙炔液晶高分子的合成与光学特性

薛清 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.024

在室温下,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510 nm、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光...

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 单取代聚乙炔

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500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层

InP/InGaAsP异质结ICP刻蚀表面损伤

Si掺杂的AlGaInP/GaInP多量子阱光学特性

单取代聚乙炔的荧光光谱在低温下的裂变

带有咔唑支链的聚乙炔的发光特性研究

带支链聚乙炔液晶高分子的合成与光学特性

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