马楠
,
邓军
,
史衍丽
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.015
在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求.本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长.以光致荧光光谱对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长.计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作.同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3.
关键词:
红外
,
QWIP
,
暗电流
,
光荧光谱
邢艳辉
,
李建军
,
邓军
,
韩军
,
盖红星
,
沈光地
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.02.019
对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs外延层光学特性.通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩,PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小.
关键词:
光电子学
,
GaAs掺杂
,
光荧光谱
,
X射线衍射
