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靳瑞敏 , 陈兰莉 , 罗鹏辉 , 郭新峰 , 卢景霄
材料导报
用玻璃作衬底在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si∶H)薄膜,在400℃和500℃分别光退火5min、10min、20min、30min、40min、60min、120min,用拉曼光谱分析前后样品,发现随着晶化时间的延长晶化效果越好,500℃退火的薄膜比400℃的晶化效果好.
关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火晶化 , 拉曼光谱
