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李耀耀 , 徐刚毅 , 张永刚 , 李爱珍 , 魏林
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.010
利用全息曝光方法制备了分布反馈量子级联激光器的光栅掩模,选择和发展了恰当的用于InGaAs/InP材料的光栅腐蚀优化工艺,得到腐蚀规律,讨论了腐蚀机制.在量子级联激光器的In-GaAs/InP层上制备光栅得到分布反馈量子级联激光器,其单模特性较好,信噪比大于30dB.
关键词: 分布反馈激光器 , 全息曝光 , 光栅制备
