闵靖
,
邹子英
,
李积和
,
周子美
,
陈青松
,
陈一
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.006
用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.
关键词:
机械损伤
,
软损伤
,
氧化诱生层错
,
S坑缺陷
,
外吸除
,
内吸除
张红娣
,
郝秋艳
,
张建峰
,
张建强
,
李养贤
,
刘彩池
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.019
本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.
关键词:
重掺杂硅单晶
,
热处理
,
内吸除
