张翔清
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孟庆裕
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陈宝玖
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孙佳石
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程丽红
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彭勇
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于涛
功能材料
采用化学自燃烧方法制备了Eu3+掺杂的Y2O3纳米晶粉末材料,并在制备过程中引入了少量的Ag+离子.计算了Eu3+的5D0能级的发光的内量子效率,发现Ag+离子的加入可以使发光的量子效率最大增加12%.通过发射光谱的测量发现荧光最大可增强约50%,通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光激发和发射光谱研究证实Ag+离子的引入产生两个方面的作用:(1)是能够部分地消除表面的无辐射中心,使量子效率提高,发光增强;(2)是使激发光能够更有效地到达发光中心,提高激发效率,从而使荧光产额提高.
关键词:
内量子效率
,
表面钝化
,
荧光增强
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Y2O3:Eu3+
邓云龙
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廖常俊
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刘颂豪
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范广涵
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文尚胜
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.01.015
本文对典型结构高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析,结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展,而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出,因此引入较厚顶层和底层是提高LED的外量子效率的有效手段.最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的LED的外量子效率,这两类LED最大外量子效率分别为12.05%和20.12%.
关键词:
HB-LED
,
内量子效率
,
外量子效率
,
电流密度分布
王天虎
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王晓东
,
徐讲良
工程热物理学报
本文建立了发光二极管（LED）芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱（MQWs）区域,且靠近p-GaN的第一个量子阱（QW）内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大,而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小,可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明,在大电流或低冷却能力条件下,芯片内部与芯片衬底温差显著,等温模型无法准确预测芯片性能,需采用非等温模型。
关键词:
发光二极管
,
多量子阱
,
内量子效率
卓世异
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刘熙
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高攀
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严成锋
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施尔畏
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160268
施主受主共掺杂的荧光4H-SiC可以通过复合发出可见光,影响其发光性能的一个重要因素是施主-受主掺杂的浓度.本研究通过PVT生长方法制备了3英寸N-B-Al共掺的4H-SiC晶体,采用Raman光谱、SIMS对晶体的结晶类型和掺杂浓度进行了表征;采用PL发射谱和激发谱、荧光衰减曲线表征和内量子效率对晶体的发光波长、强度、施主-受主对复合发光性能进行了研究.结果发现,低浓度Al掺杂样品在室温下发出黄绿色荧光.低浓度Al掺杂在晶体中提供较少的受主;高浓度B、N掺杂形成施主,从而贡献充足的电子-空穴对.这些电子-空穴的复合提高了施主-受主对复合的内量子效率,进而增强光致发光强度,增加平均发光寿命.
关键词:
碳化硅
,
光致发光
,
内量子效率
