裴素华
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张晓华
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孙海波
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于连英
稀有金属材料与工程
为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO2中的固溶度较低而扩散系数很大,故形成线性分布形式,Ga在Si中的溶解度相比SiO2很大,SiO2-Si界面的分凝使其以较高平衡浓度分配入硅中,两者的连续确立了开管扩Ga模型.(2)在严格控制硅片温度TSi、杂质源分解温度TGa2O3、反应气体流量CH2,调整预沉积、再分布及其两者的重复组合,便可在硅内得到任意理想的杂质分布;(3)Ga原子是通过理想表面(SiO2-Si界面)扩散入体内,避免与外界的接触沾污,获得了高均匀性、高重复性的扩散表面及非常平行的平面结.
关键词:
开管扩Ga模型
,
分布规律
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分凝效应
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SiO2-Si界面
张慧星
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谭毅
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孙世海
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许富民
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姜大川
机械工程材料
以1101工业硅为原料,采用真空感应熔炼加定向凝固提纯方法制备了多晶硅铸锭,通过电感耦合等离子体发射光谱仪、扫描电镜、四探针电阻率仪、导电类型测试仪等对其化学成分、组织、电阻率及导电类型等进行了分析.结果表明:多晶硅锭中约50%的区域纯度达到99.99%,其中铁、铜、镍等金属杂质去除率均在90%以上;分凝效应使得杂质元素重新分布,导致粗大柱状晶在铸锭54%高度处停止生长,此时其成分及电阻率发生突变,导电类型也由P型转变为N型.
关键词:
定向凝固
,
多晶硅
,
分凝效应
,
电阻率
