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原词结果 | 译词结果

负载型聚酰亚胺-二氧化钛-银杂化膜的制备和表征

邵怀启 , 钟顺和

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2005.06.010

采用溶胶-凝胶法制备SiO2/硅藻土-莫来石负载的聚酰亚胺-二氧化钛-银杂化膜,采用红外光谱、热失重分析、扫描电镜、X射线衍射、氮吸附、气体渗透性能测定等方法进行表征.结果表明:银的加入使杂化溶胶的黏度增大,膜孔径增大,孔径弥散;银以氧化银的形式存在,Ag+和聚酰亚胺中的氮以配位键络合在一起;丙烯通过双键吸附在Ag+上;杂化膜的热稳定性随银和二氧化钛的加入而降低;杂化膜平均孔径为2.94～3.57 nm;丙烯/丙烷在杂化膜上的分离因子为2.93～3.21;银的加入对丙烯的传输有明显的促进作用.

关键词: 聚酰亚胺-二氧化钛 , 有机-无机杂化膜 , 制备与表征 , 丙烯分离

负载型TiO2-聚丙烯疏水复合膜的制备与表征

钟顺和 , 李传峰 , 孙宏伟 , 肖秀芬

膜科学与技术 doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2002.04.004

采用热致相分离(TIPS)技术制备浸涂型和反应型硅藻土-聚丙烯疏水复合膜,用SEM、氮吸附、红外光谱和气体渗透性能测试装置等方法表征不同的制膜方法、浸膜液浓度及冷却方式等因素对膜形态、结构和气体渗透性能的影响.结果表明:浸涂型聚丙烯膜球形颗粒和孔径尺寸均小于反应型聚丙烯膜;TiO2-聚丙烯膜与硅藻土陶瓷支承体是通过Si-O-Ti-O-C键的价联方式形成键联型复合膜层;在膜内,气体渗透由Knudsen扩散控制,H2O与N2的分离因子分别为2.46和2.22.

关键词: 热致相分离 , TiO2-聚丙烯膜 , 负载型疏水复合膜 , 制备与表征

Yb3+:NaBi(WO4)(MoO4)的制备与性能表征

韩永飞 , 陈振强 , 李景照 , 李真 , 陈哲 , 王国富

硅酸盐通报

为了研究新型的钼酸盐激光晶体材料,采用熔盐法固相反应合成了混酸盐多晶材料Yb3+:NaBi(WO4)(MoO4).通过XRD、DSC-TG、吸收光谱和发射光谱等表征方法,得出新相属于四方晶系,空间群为I41/a(88),熔点为884 ℃,吸收带宽约为80 nm,发射中心波长为1008 nm,发射带宽为约54 nm.

关键词: 激光晶体 , 多晶材料 , 制备与表征 , 钼酸盐

单分散性硫族化合物半导体量子点的制备与表征

陈良 , 饶海波 , 占红明 , 陈伟

材料导报

硫族半导体化合物大多具有直接能带结构,是良好的光电功能材料,其量子点具有典型的量子效应.介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点;TEM、XRDUV-Vis吸收谱对硫族量子点的表征.

关键词: 制备与表征 , 量子点 , 硫族化合物半导体 , 单分散性

聚丙烯酸酯/TiO2-SiO2纳米杂化材料的制备与表征

柯昌美 , 汪厚植 , 强敏 , 刘兴重 , 赵惠忠 , 李轩科

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2005.06.003

用原位复合、溶胶-凝胶法制取热固性聚丙烯酸酯基纳米SiO2包覆TiO2的有机-无机纳米杂化材料,通过红外光谱(FT-IR)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、X射线能量色散谱仪(EDAX)、紫外-可见光谱(UV-Vis)等对材料的结构和性能进行了表征,通过实验证明了纳米TiO2-SiO2复合物对紫外线有很好的吸收性能,应用到丙烯酸树脂材料中具有很好的紫外线屏蔽效果.

关键词: 溶胶-凝胶法 , TiO2-SiO2 , 聚丙烯酸酯 , 紫外线屏蔽 , 纳米杂化材料 , 制备与表征

Yb3+:Na5Bi(WO4)2(MoO4)2多晶料的制备与性能表征

付乔克 , 韩永飞 , 陈振强 , 李安明 , 朱思祁

硅酸盐通报

采用高温固相反应合成了混酸盐多晶材料Yb3+:Na5Bi(WO4)2(MoO4)2.利用X射线衍射仪(XRD)、同步热分析仪(DSC-TG)、红外光谱仪和荧光光谱仪等分析测试技术,对多晶材料Yb3+:Na5Bi(WO4)2(MoO4)2的结构与光谱性能进行了研究,研究发现:新相属于四方晶系,空间群为I41/a(88),熔点约为930 ℃,吸收带宽为83 nm,发射中心波长为1006 nm,发射带宽为50 nm,荧光寿命为589.03 μs.

关键词: 激光晶体 , 多晶材料 , 制备与表征 , 钼酸盐 , Yb3+:Na5Bi(WO4)2(MoO4)2

CdS薄膜的SILAR法制备与表征

刘晓新 , 靳正国 , 步绍静 , 赵娟 , 程志捷

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.042

采用液相薄膜制备工艺-SILAR(连续离子层吸附反应)法,在室温下于玻璃衬底上制备了CdS薄膜.对薄膜的表面形貌,薄膜的生长速率以及热处理与薄膜的成相及其电阻率的关系进行了观察和分析.实验结果表明:薄膜表面较致密,生长速率为2nm/cycle,随循环次数的增加,沉积粒子的尺寸趋于增大.室温下沉积的CdS薄膜为非晶态,经热处理后薄膜的结晶度提高,电阻率显著下降.此外,文章结合实验对薄膜的生长机理进行了初步的讨论.

关键词: CdS薄膜 , SILAR法 , 制备与表征 , 生长机理

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