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电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

王健 , 熊兵 , 孙长征 , 郝智彪 , 罗毅

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.014

深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.

关键词: 干法刻蚀 , 掩膜 , ICP , InP , 刻蚀端面

感应耦合等离子刻蚀InP工艺

陈磊 , 张靖 , 张瑞康 , 江山

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.016

采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.系统地讨论了RF功率、ICP功率、反应腔压力、气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841 nm/min,与SiO2的选择比达到15:1.

关键词: 干法刻蚀 , 感应耦合等离子体 , InP , 刻蚀端面

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