钱丽洁
,
朱金荣
,
许小勇
,
胡经国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.06.011
采用变分法研究了外应力场下铁磁单层膜、铁磁/反铁磁双层膜系统的磁化性质,进而研究了由铁磁单层膜和铁磁/反铁磁双层膜所构建的自旋阀结构中的磁电阻与外应力场之间的关系.结果表明,铁磁膜中的磁化性质与膜面内所加应力场的大小,方向密切相关,而反铁磁层的嵌入将明显地改变着铁磁层的磁矩向应力场方向磁化的行为.特别地,在应力场方向垂直于铁磁易轴情况下,当应力场日H_λ=2(K_1+K_(up)/3M)时,将发生磁化从易轴方向到应力方向的突变.为此,可采用自旋阀结构,通过其膜面内的应力场所调控的磁电阻效应,构建纳米尺度下的力磁传感器.
关键词:
铁磁单层膜
,
铁磁/反铁磁双层膜
,
应力场
,
磁电阻效应
,
力磁传感器
