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温度对InAs/GaAs量子点生长影响的动力学蒙特卡罗模拟

宋禹忻 , 俞重远 , 刘玉敏

功能材料

采用动力学蒙特卡罗模型模拟了GaAs应变弛豫图形衬底上InAs量子点阵列生长早期阶段,温度对浸润层之上第一层亚单原子层阶段的影响.通过对生长表面形态、岛平均大小、岛大小分布及其标准差等方面的研究,证明了通过控制温度能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列,这对后续量子点生长的定位和尺寸控制有重要影响.

关键词: 动力学蒙特卡罗模拟 , 量子点 , 外延生长

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