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LP-MOCVD生长 InGaA1P外延层In组分控制的动力学分析

文尚胜 , 范广涵 , 廖常俊 , 刘颂豪

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.02.017

本文分析了低压转盘MOCVD生长室中气流的流动特征，首次提出了在高温(700℃左右)下生长InGaAlP外延层时，抑制In组分脱吸附的"动压力模型".解释了托盘转速和生长压力等生长参数对In组分控制的影响.

关键词: 低压有机金属化学气相外延 , InGaAlP , 动压力 , In组分