张猛
,
夏之荷
,
周玮
,
陈荣盛
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王文
,
郭海成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173202.0091
本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制.在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化.器件退化只与栅脉冲下降沿有关.越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化.比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱.通过选择性的掺杂注入BG线,沟道中形成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差,从而减弱动态热载子退化.辅以瞬态模拟结果,栅交流电应力下的退化机制被阐明.所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统应用中具有很大的应用前景.
关键词:
搭桥晶粒
,
多晶硅
,
薄膜晶体管
,
栅交流应力
,
动态热载流子
